保山市2023~2024学年普通高中高三上学期B、C 类学校第三次质量监测理科综合试题正在持续更新，目前全国100所名校单元测试示范卷答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

28.（14分)Bi2S,(硫化铋)在光催化剂、锂离子电池等领域具有重要潜在价值，一种29.(15分)NH,是重要的化工原料，可以制备丙烯腈、尿素、硝酸等产品。回答下列由辉铋矿（主要成分为Bi,S?,含Si02、Cu2S等杂质)为原料提纯制备Bi,S的工艺问题：流程如图18所示：(1)合成氨反应的能量变化如图20甲所示（吸附在催化剂表面的物质用“*”表盐酸、FeCl,NH,·H20HNO,CH,CSNH,示)。辉铋矿一浸取滋液1还原滤液2调即H速渣2，瞬溶选饼酸溶一—转化一BS,相对能量(kJ·mol)N+3H滤渣1/45衡时NH,%图1817746已知：①25℃时，溶液中金属离子开始沉淀和完全沉淀的pH如下表所示：N*+号H,*250150/NHH,*金属离子Fe2+Fe3Bi3+Cu2+N阳袋NH,*+HN*+3H*+2H*开始沉淀时(c=0.01mo/L)的pH7.52.24.55.2反应进程起始时的nlH,)甲沉淀完全时(c=1.0×10-5mo/L)的pH9.03.25.56.7图20②在本工艺条件下，还原性顺序为Fe>Cu>Bi。(1)滤液1中含有FeCl、FeCL2、CuCl2和BiC3，,滤渣1的成分是S和①该条件下，N2(g)+3H2(g)=→2NH(g)△H=kJ·mol'。加入盐酸保持溶液pH<1.4,否则铋元素以碱式氯化铋(BiOCl)的形式混入滤渣1②实际生产中的工艺条件为：铁触媒作催化剂，控温773K,压强3.0×10Pa,原料使产率降低，生成BiOC的离子方程式为气中n(N2):n(H2)=1:2.8。原料气中N2过量的理由是N2相对易得，(2)“还原”步骤中加入金属单质Bi的目的是且不且N2的吸附分解是反应的决速步。（从衡移动角度分析）引入新杂质。(2)其他条件不变，改变起始氢气的物质的量对工业合成氨反应的影响，实验结果(3)“碱溶”步骤中加入NH3·H,0的目的是将Cu(OH)2转化为可溶性的如图乙所示（图中T表示温度）。则T2T1(填“>”“<”或“=”)(填离子符号)。a、b、c三点所处的衡状态中，反应物N2的转化率最低的是(填字(4)“转化”步骤中硫代乙酰胺(CH,CSNH2)在酸性溶液中会水解为乙酰胺母)。(CH,C0NH2)和硫化氢；硫化氢会进一步发生反应：2B3*(aq)+3H,S(aq)一(3)以氨、丙烯、氧气为原料，可在催化剂存在下生成丙烯腈(CHN),同时得到Bi2S3(s)+6H*(aq)K,K(Bi2S3)=(用含K,H2S的K1、K2的式副产物丙烯醛(C,H0),热化学方程式如下：子表示)。（5)若取10kg铋含量为85%的辉铋刊矿，经上述流程（铋主反应：C,H6(g)+NH,(g)+20,(g)一CH,N(g)+3H,0(g)元素在整个流程中损失率为5%)，计算最终可制得Bi2S●02△H=-515kJ·mol1;固体的质量约为9.9kg,实测干燥的Bi,S,产量高于计算值的原因是B副反应：C,H6(g)+02(g)=C3H,0(g)+H20(g)△H=-353kJ·mo1n(CHaN)(6)新型二维半导体芯片材料一硒氧化铋晶胞结构如pm已知：丙烯腈的选择性pmn(C,H,N)+n(C,H,0)×100%,某气体分压=总压强×图19所示，该晶体的化学式为图19该气体物质的量分数。理科综合·第11页（共16页）理科综合·第12页（共16页)